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光催化氧化技術原理
發布時間:2021-02-01 21:59瀏覽次數:

光催化氧化技術原理

@利用特製的高能UV紫外線光束照射惡臭氣體,裂解惡臭氣體如:氨,三家胺、硫化氫、甲硫氫、甲硫醇、甲硫醚、二甲二硫、二硫化碳和苯乙烯,硫化物H2S/、VOC類,苯、甲苯、二甲苯的分子鍵。
@利用高臭氧分解空氣中的氧分子產生遊離氧,即活性氧,因遊離氧所攜帶的正負電子不平衡所以需與氧分子結合,進而產生臭氧,使呈遊離狀態的汙染物分子與臭氧氧化結合成小分子無害或低害的化合物。如CO2、H2O等。
@利用特製的催化劑進行氧化還原反應;運用高能UV紫外線光束、臭氧及催化劑對惡臭氣體進行協同分解反應,使惡臭氣體物質降解轉化成低分子化合物、水和二氧化碳,徹底達到脫臭及殺滅細菌的目的。
@光催化氧化是在外界可見光的作用下發生催化作用,以半導體為催化劑,以光為能量,將有機物降解為CO2和H2O及其他無毒無害成分。在光催化氧化反應中,通過紫外光照射在納米TIO2催化劑上,納米TIO2催化劑細說光能產生電子躍進和空穴躍進,經過進一步的結合產生電子空穴時,與廢氣表麵啊吸附的水分和氧氣反應生成氧化性很活潑的自由基和超氧離子自由基。
@在紫外線的照射下使汙染物氧化分解;後者又稱光催化氧化,一般可分為均相和非均相催化兩種類型。均相光催化降解中常見的以Fe2+或Fe3+及H2O2為介質,通過photo-Fenton反應產生•H0,使汙染物得到降解,非均相催化降解中較常見的是在汙染體係中投加一定量的光敏半導體材料,同時結合一定量的光輻射,使光敏半導體在光的照射下激發產生電子-空穴對,吸附在半導體上的溶解氧、水分子等與電子-空穴作用,產生•H0等氧化性極強的自由基,再通過與汙染物之間的羥基加和、取代、電子轉移等使汙染物全部或接近全部礦化。

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